Полупроводниковые приборы
Код: CN1740
IHW20N120R2 (H20R1202) Транзистор 1200V 40A 310W TO247-3 Reverse conducting IGBT with monolithic body diode; N-Channel; 1200V; 20A; 330W; tf=53ns
Код: CN1761
RURG5060 Диод шотки • 75ns (at IF=50A) Ultrafast recovery • Avalanche energy rated • 600VDC Blocking Voltage • 150W Maximum power dissipation
Код: CN1798
KF7N60 TO-220 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 142 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs)...