Транзисторы полевые
Код: CN1726
K50T60 IKW50N60T 50N60 50A 600 В High speed switching series third generation; IGBT; N-Channel; 600V; 50A; 333W; tf=24ns
Код: CN1727
IRFP32N50K IRFP32N50K P32N50K 32A 500 В MOSFET Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.135ohm, Id=32A)
Код: CN1740
IHW20N120R2 (H20R1202) Транзистор 1200V 40A 310W TO247-3 Reverse conducting IGBT with monolithic body diode; N-Channel; 1200V; 20A; 330W; tf=53ns
Код: CN1798
KF7N60 TO-220 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 142 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs)...